Napromieniowanie elektronami MeV heterostruktur Si

Badano generowanie defektu radiacyjnego przez napromieniowanie elektronami MeV o wysokiej energii struktury n- i p- typu Si-SiO2 ró?nymi rodzajami tlenków. Zmiany morfologiczne tlenku Si-SiO2 podczas napromieniania elektronami MeV obserwowano za pomoc? AFM. Przedstawiono zaimplantowane struktury Si-SiO2 z jonu Si+ przed i po na?wietlaniu elektronami MeV. Redystrybucj? atomów tlenu i krzemu oraz generacj? nanokrysztalów Si podczas napromieniania elektronów MeV obserwowano odpowiednio za pomoc? technik RBS/C i AFM. Przeprowadzono równie? badania wla?ciwo?ci optycznych, fotoluminescencji i spektroskopowe na?wietlanych elektronami MeV folii SiOx.